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材質：Si、Ni
寸法：W300nm Pitch 1um
パターンエリア：～□50㎜
材質：Si
最小線幅：50nm
パターンエリア：□2.5um
材質：Si
寸法：Pitch 250nm / H 600nm
パターンエリア：□20mm
材質：Si
寸法：W5.5um / Pitch 10um / H67um
材質：SiO2
寸法：φ30nm / Pitch 50nm / H 30nm
材質：レジスト, Ni等
寸法：Radius 15um / Depth 15um
【ご提供：国立研究開発法人 物質・材料研究機構】
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■ Bush Clover本社
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■ Bush Clover 町田営業所
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